A 4H-SiC super-junction trench MOS barrier Schottky structure with an enhanced figure of merit

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标题	A 4H-SiC super-junction trench MOS barrier Schottky structure with an enhanced figure of merit
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6641/ae11d0
DOI	10.1088/1361-6641/ae11d0 doi
其它	期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Ting Ge; Chenghao Yu; Masayuki Yamamoto; Haomin Guo; Wei Wang; et al 出版日期：2025-10-10
求助人	CP 在 2026-01-21 10:31:43 发布自浙江，悬赏 10 积分
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