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 Investigation of Threshold Voltage Instability of SiC MOSFETs Under Different Gate Voltage Sequences 相关领域
阈值电压
负偏压温度不稳定性
材料科学
MOSFET
光电子学
不稳定性
栅极电压
电压
碳化硅
过驱动电压
反向短通道效应
工程物理
电气工程
物理
工程类
晶体管
机械
冶金
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| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Yuan Chen; Yunliang Rao; Mei Wang; Rui Gao; Zhiyuan He; et al 出版日期：2024-02-19 |
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