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 Vertical Channel Transistor (VCT) as Access Transistor for Future 4F2 DRAM Architecture 垂直沟道晶体管（VCT）作为未来4F2 DRAM架构的存取晶体管
相关领域
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晶体管
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期刊： 作者：Daohuan Feng; Yi Jiang; Yunsong Qiu; Yuhong Zheng; Harry K.W. Kim; et al 出版日期：2023-05-01 |
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