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The Effect of the Gate-Connected Field Plate on Single-Event Transients in AlGaN/GaN Schottky-Gate HEMTs |
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期刊:IEEE Transactions on Nuclear Science 作者:A. Khachatrian; S. Buchner; A. Koehler; C. Affouda; D. McMorrow; et al 出版日期:2019-07-01 |
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(2025-6-4)