High-Performance BGaN/GaN HEMT Design with Si3N4 Passivation for RF and Microwave Applications

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标题	High-Performance BGaN/GaN HEMT Design with Si3N4 Passivation for RF and Microwave Applications
网址	https://link.springer.com/content/pdf/10.1134/S1063782625602...
DOI	10.1134/s1063782625602869 doi
其它	期刊：Semiconductors 作者：P. Harikrishnan; B. Mohan 出版日期：2025-11-12
求助人	晴天已寄出在 2026-03-25 11:24:14 发布自中国，悬赏 10 积分
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Society for Industrial and Applied Mathematics (SIAM)

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