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 Heat Treatment of Carbonized Photoresist Mask with Ammonia for Epitaxial Lateral Overgrowth of a-plane GaN on R-plane Sapphire 用氨热处理碳化光刻胶掩模用于在R面蓝宝石上外延横向过生长a面GaN
相关领域
材料科学
蓝宝石
光刻胶
碳化
外延
平面（几何）
氨
光电子学
复合材料
光学
几何学
图层（电子）
化学
物理
数学
有机化学
扫描电子显微镜
激光器
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期刊：Korean Journal of Materials Research 作者：Dae-sik Kim; Jun-hyuck Kwon; Junggeun Jhin; Dongjin Byun 出版日期：2018-04-01 |
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