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标题
Effect of Growth Parameters on the Residual Stress and Dislocation Density of Czochralski-Grown Silicon Crystals
生长参数对直拉法生长硅晶体残余应力和位错密度的影响
相关领域
位错 材料科学 硅 残余应力 旋转（数学） 压力（语言学） 位错蠕变 Crystal（编程语言） 结晶学 复合材料 凝聚态物理 冶金 几何学 化学 数学 物理 语言学 哲学 计算机科学 程序设计语言
网址
https://doi.org/10.1063/1.1659763
DOI
10.1063/1.1659763 doi
其它 期刊：Journal of Applied Physics
作者：R. O. DeNicola; R. N. Tauber
出版日期：1971-10-01
求助人
学术草履虫 在 2025-12-17 17:00:52 发布自宁夏，悬赏 10 积分
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