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 Research on the difference in etching rates of SiO2 at the top and bottom of high-aspect-ratio trench in C4F8/Ar/O2 plasma etching C4F8/Ar/O2等离子体刻蚀高纵横比沟槽顶部和底部SiO2刻蚀速率差异的研究
相关领域
沟槽
蚀刻（微加工）
等离子体
材料科学
等离子体刻蚀
纵横比（航空）
分析化学（期刊）
化学
纳米技术
光电子学
环境化学
物理
核物理学
图层（电子）
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期刊：Journal of vacuum science & technology 作者：L.Y. Zhang; Zhihong Gao; Yongzhi Fang; Dongyu Cen; M Liu; et al 出版日期：2025-03-21 |
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