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 High quality 10.6 μm AlN grown on pyramidal patterned sapphire substrate by MOCVD 用MOCVD法在金字塔图案蓝宝石衬底上生长高质量10.6 μ m AlN
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材料科学
蓝宝石
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Hanling Long; Jiangnan Dai; Yi Zhang; Shuai Wang; Bo Tan; et al 出版日期：2019-01-29 |
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