| 标题 |
Characteristics of transport properties in double-barrier AlGaN/GaN HEMT with ultra-high density 2DEG and high breakdown voltage 相关领域
击穿电压
高电子迁移率晶体管
撞击电离
材料科学
光电子学
电场
解耦(概率)
晶体管
氮化镓
电压
宽禁带半导体
费米气体
功率密度
场效应晶体管
电流密度
泄漏(经济)
电击穿
功率半导体器件
高压
薄板电阻
载流子密度
阈值电压
雪崩击穿
工艺CAD
电子迁移率
半导体器件
电气故障
电子密度
电离
砷化镓
电子
变压器
量子阱
电位
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Applied Physics Letters 作者:Lei Li; Yaoze Li; Zhijian Zhou; Zhuokun He; Baohua Liu; et al 出版日期:2026-03-30 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)