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 Reducing Reverse Recovery Charge in Trench Power MOSFETs Using Platinum Traps Introduced by Implantation and PVD 利用注入和PVD引入的铂陷阱降低沟槽功率MOSFET中的反向恢复电荷
相关领域
沟槽
功率MOSFET
材料科学
光电子学
MOSFET
工程物理
电气工程
纳米技术
电压
物理
晶体管
工程类
图层（电子）
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| 其它 |
期刊： 作者：Mrunal A. Khaderbad; Ali Houadef; Chris Rogers; Ian Cousins; Parag C. Waghmare; et al 出版日期：2024-06-02 |
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