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 Interface state analysis of Schottky-gated p-AlGaN/u-GaN/AlGaN p-FET with negligible hysteresis at high temperatures 高温下磁滞可忽略的肖特基栅p-AlGaN/u-GaN/AlGaN p-FET界面态分析
相关领域
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Huake Su; Tao Zhang; Shengrui Xu; Hongchang Tao; B. Yun; et al 出版日期：2023-09-25 |
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