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 Effects of the AlSb Buffer Layer and the InAs Channel Thicknesson the Electrical Properties of InAs/AlSb-Based 2-DEG HEMTStructures AlSb缓冲层和InAs沟道厚度对InAs/AlSb基2-DEG HEMT结构电学性能的影响
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期刊：Journal of the Korean Physical Society 作者：SangHoon Shin; J. Y. Lim; Jung-Hoon Song; H.J. Kim; Soonhung Han; et al 出版日期：2008-11-15 |
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