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[高分]
 Characterization of Gate Leakage and Reliability of Normally-OFF GaN MOSFET with LPCVD-SiNx/PEALD-AlN Dual Gate Dielectric and In-Situ H2(15%)/N2(85%) Plasma Pretreatment LPCVD-SiNx/PEALD-AlN双栅介质和原位H2（15%）/N2（85%）等离子体预处理的常关GaN MOSFET栅极泄漏和可靠性表征
相关领域
材料科学
电介质
栅极电介质
泄漏（经济）
光电子学
化学气相沉积
介电强度
原子层沉积
MOSFET
纳米技术
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电气工程
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期刊：Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics 作者：Chengyu Huang; Jinyan Wang; Zhen Fu; Fang Liu; Maojun Wang; et al 出版日期：2022-09-01 |
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