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 A novel β‐Ga2O3 HEMT with fT of 166 GHz and X‐band POUT of 2.91 W/mm 一种新型β-Ga2O3 HEMT，fT为166 GHz，X波段POUT为2.91 W/mm
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期刊：International Journal of Numerical Modelling Electronic Networks Devices and Fields 作者：Rajan Singh; Trupti Ranjan Lenka; Ravi Teja Velpula; Barsha Jain; Ha Quoc Thang Bui; et al 出版日期：2020-08-17 |
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