A 28 nm 576K RRAM-based computing-in-memory macro featuring hybrid programming with area efficiency of 2.82 TOPS/mm2

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标题	A 28 nm 576K RRAM-based computing-in-memory macro featuring hybrid programming with area efficiency of 2.82 TOPS/mm2 相关领域最上等的宏电阻随机存取存储器计算机科学材料科学算术计算机硬件物理电气工程工程类光学数学程序设计语言电压方位角
网址	https://doi.org/10.1088/1674-4926/24100017
DOI	10.1088/1674-4926/24100017 doi
其它	期刊：Journal of Semiconductors 作者：Siqi Liu; Song-Tao Wei; Peng Yao; Dong Wu; Jie Lu; et al 出版日期：2025-06-01
求助人	claudefatum 在 2025-11-25 19:26:25 发布自陕西，悬赏 10 积分
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