Micron-Scale Annealing for Ohmic Contact Formation Applied in GaN HEMT Gate-First Technology

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标题	[求助补充材料] Micron-Scale Annealing for Ohmic Contact Formation Applied in GaN HEMT Gate-First Technology
网址	http://dx.doi.org/10.1109/led.2018.2877717
DOI	10.1109/led.2018.2877717 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Zhikun Liu; Dingbo Chen; Lijun Wan; Guoqiang Li 出版日期：2018-12-01
求助人	阿赵在 2026-07-08 16:36:52 发布自山东，悬赏 20 积分
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