Defect correlated with positive charge trapping in functional HfO2 layers on (100)Si revealed by electron spin resonance: Evidence for oxygen vacancy?

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标题	Defect correlated with positive charge trapping in functional HfO2 layers on (100)Si revealed by electron spin resonance: Evidence for oxygen vacancy?
网址	https://doi.org/10.1016/j.mee.2017.04.035
DOI	10.1016/j.mee.2017.04.035 doi
其它	期刊：Microelectronic Engineering 作者：A. Stesmans; V.V. Afanas'ev 出版日期：2017
求助人	泉er 在 2026-05-22 13:34:15 发布，悬赏 10 积分
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