Bromine Vacancy Redistribution and Metallic‐Ion‐Migration‐Induced Air‐Stable Resistive Switching Behavior in All‐Inorganic Perovskite CsPbBr3 Film‐Based Memory Device

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标题	Bromine Vacancy Redistribution and Metallic‐Ion‐Migration‐Induced Air‐Stable Resistive Switching Behavior in All‐Inorganic Perovskite CsPbBr3 Film‐Based Memory Device
网址	https://onlinelibrary.wiley.com/doi/pdf/10.1002/aelm.2019007...
DOI	10.1002/aelm.201900754 doi
其它	期刊：Advanced Electronic Materials 作者：Yuanyuan Zhu; Pengwei Cheng; Jing Shi; Hongjun Wang; Yong Liu; et al 出版日期：2019-12-17
求助人	外向寄云在 2026-05-19 16:17:05 发布自江西，悬赏 10 积分
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