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 First Demonstration of 2D Semiconductor Vertical pFET with Symmetrical Source/Drain Transport of I on >100 μA/μm with Extremely High thermal Stability up to 550 ℃ by Scalable Direct Channel Growth 相关领域
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期刊：2025 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：Xin Wang; Xiong Xiong; Yuhang Chen; Tianyue Fu; Zhiyu Wang; et al 出版日期：2025-12-06 |
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