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Control gate-bit line leakage induced cobalt silicide migration in 0.15/spl mu/m embedded flash memory devices |
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期刊:Symposium Non-Volatile Memory Technology 2005. 作者:S. Han; D. Son; N. Kim; Y. You; R. Kuan 出版日期:2005-11-21 |
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(2025-6-4)