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标题
Control gate-bit line leakage induced cobalt silicide migration in 0.15/spl mu/m embedded flash memory devices
网址
DOI
10.1109/nvmt.2005.1541385 doi
其它 期刊:Symposium Non-Volatile Memory Technology 2005.
作者:S. Han; D. Son; N. Kim; Y. You; R. Kuan
出版日期:2005-11-21
求助人
hg 在 2026-07-01 23:30:21 发布自广东,悬赏 10 积分
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