| 标题 |
 Integration of Temperature and Current Sensors in 4H-SiC VDMOS 相关领域
材料科学
碳化硅
电流（流体）
光电子学
电气工程
频道（广播）
炸薯条
图层（电子）
工程物理
功率（物理）
电子工程
纳米技术
复合材料
工程类
量子力学
物理
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Materials science forum 作者：Maxime Berthou; Philippe Godignon; Pierre Brosselard; Dominique Tournier; José del R. Millán 出版日期：2012-05-14 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
无极微光
cdercder
嘻嘻哈哈
糊涂的雅琴
AllRightReserved
呵呵
张欢馨
尊嘟假嘟
2052669099
潇洒的惋清
GingerF
学术文献互助
OK
畔畔
寒冷不言
挖掘机
核桃
木子也是李
arniu2008
科研狗
皖公网安备34019202002308
