Integration of Temperature and Current Sensors in 4H-SiC VDMOS

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标题	Integration of Temperature and Current Sensors in 4H-SiC VDMOS 相关领域材料科学碳化硅电流（流体）光电子学电气工程频道（广播）炸薯条图层（电子）工程物理功率（物理）电子工程纳米技术复合材料工程类量子力学物理
网址	https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.1093
DOI	10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.1093 doi
其它	期刊：Materials science forum 作者：Maxime Berthou; Philippe Godignon; Pierre Brosselard; Dominique Tournier; José del R. Millán 出版日期：2012-05-14
求助人	哇哇在 2025-11-11 14:16:21 发布自广东，悬赏 30 积分
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