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 30nm Channel-Length Enhancement-Mode GaN MOSHEMT Transistors on a 300mm GaN-on-TRSOI Engineered Substrate 300mm GaN-on-TRSOI工程衬底上的30nm沟道长度增强型GaN MOSHEMT晶体管
相关领域
光电子学
材料科学
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晶体管
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| 其它 |
期刊：2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：Han Wui Then; Pratik Koirala; Litty Varghese; Ahmad Zubair; Samuel James Bader; et al 出版日期：2024-12-07 |
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