Novel Trench Inner-Spacer Scheme to Eliminate Parasitic Bottom Transistors in Silicon Nanosheet FETs

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标题	Novel Trench Inner-Spacer Scheme to Eliminate Parasitic Bottom Transistors in Silicon Nanosheet FETs 相关领域纳米片沟槽晶体管材料科学硅光电子学电子工程电气工程纳米技术工程类电压图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2022.3231839
DOI	10.1109/ted.2022.3231839 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Jinsu Jeong; Jun-Sik Yoon; Sanguk Lee; Rock-Hyun Baek 出版日期：2022-01-01
求助人	张张在 2023-01-28 16:13:45 发布自湖南，悬赏 10 积分
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