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 Impact of chamber pressure and Si-doping on the surface morphology and electrical properties of homoepitaxial (100) β-Ga2O3thin films grown by MOVPE 腔室压力和Si掺杂对MOVPE同质外延（100）β-Ga2O3薄膜表面形貌和电学性能的影响
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期刊：Journal of Physics D 作者：Saud Bin Anooz; Raimund Grüneberg; Ta‐Shun Chou; Andreas Fiedler; K. Irmscher; et al 出版日期：2020-09-09 |
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