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Improved Drain Current Characteristics of HfO2/SiO2 Dual Material Dual Gate Extension on Drain Side-TFET
HfO2/SiO2双材料双栅延伸漏极侧TFET漏极电流特性的改善
相关领域
材料科学 光电子学 碳化硅 硅 电介质 基质（水族馆） 栅氧化层 晶体管 栅极电介质 氮化硅 量子隧道 高-κ电介质 MOSFET 氮化物 电压 纳米技术 电气工程 图层（电子） 复合材料 工程类 地质学 海洋学
网址
https://doi.org/10.1007/s12633-022-01955-6
DOI
10.1007/s12633-022-01955-6 doi
其它 期刊：Silicon
作者：B. Balaji; K. Srinivasa Rao; K. Girija Sravani; B. Kalivaraprasad; N. V. Bindu Madhav; et al
出版日期：2022-06-16
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可爱的函函 在 2025-12-06 13:46:00 发布自江西，悬赏 10 积分
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