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 Vertical Tunneling Field-Effect Transistor With Germanium Source and T-Shaped Silicon Channel for Switching and Biosensing Applications: A Simulation Study 用于开关和生物传感应用的锗源和T形硅沟道垂直隧道场效应晶体管：模拟研究
相关领域
锗
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| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Iman Chahardah Cherik; Saeed Mohammadi 出版日期：2022-07-15 |
| 求助人 |
白石桥的锁匠
在
2025-08-29 15:44:56 发布，悬赏 10 积分
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