| 标题 |
 Reduction of Dislocation Density in Bulk Silicon Carbide Crystals Grown by PVT on Profiled Seeds PVT法降低异型晶种生长块状碳化硅晶体中位错密度
相关领域
材料科学
升华（心理学）
位错
碳化硅
复合材料
蚀刻（微加工）
光学显微镜
碳化物
各向同性腐蚀
腐蚀坑密度
结晶学
图层（电子）
扫描电子显微镜
心理学
化学
心理治疗师
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Materials science forum 作者：E. N. Mokhov; S. S. Nagalyuk; V. A. Soltamov 出版日期：2017-05-15 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
SYLH
昏睡的蟠桃
cdercder
jenningseastera
帮主哥哥
OCDer
iNk
chenjzhuc
冰魂
pluto
寒鸦浮水
卡卡西
剑指东方是为谁
nozero
TaoJ
平常的毛豆
遇上就这样吧
一一
许甜甜鸭
Oracle
皖公网安备34019202002308
