| 标题 |
 Novel STI scheme and layout design to suppress the kink effect in LDMOS transistors 相关领域
浅沟隔离
LDMOS
阈下传导
阈下斜率
沟槽
光电子学
晶体管
材料科学
扩散
掺杂剂
阈值电压
电子工程
电气工程
纳米技术
物理
工程类
电压
图层（电子）
兴奋剂
热力学
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Lei Wang; Jun Wang; Rui Li; Po-Yu Lee; Jian Hu; et al 出版日期：2008-07-01 |
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