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  β-Ga2O3 MOSFETs electrical characteristic study of various etching depths grown on sapphire substrate by MOCVD 相关领域
材料科学
金属有机气相外延
光电子学
蚀刻（微加工）
MOSFET
基质（水族馆）
蓝宝石
化学气相沉积
兴奋剂
晶体管
栅氧化层
外延
纳米技术
电压
电气工程
图层（电子）
光学
激光器
物理
地质学
工程类
海洋学
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期刊： 作者：Chan-Hung Lu; Fu‐Gow Tarntair; Yu‐Cheng Kao; Niall Tumilty; Jia‐Min Shieh; et al 出版日期：2023-06-27 |
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