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标题
The Influence of Gate-Series-Resistor on the ESD Protection and Switching Speed for 650V GaNHEMT Circuit
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DOI
10.1109/IPFA61654.2024.10691316 doi
其它 期刊:2024 IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA)
作者:Jian-Hsing Lee; Yeh-Jen Huang; Li-Yang Hong; Chih-Cherng Liao; Brian Lien; et al
出版日期:2024
求助人
liuchuck 在 2026-05-20 10:55:13 发布自湖南,悬赏 10 积分
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