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 Capacitive Amplification toward Boltzmann‐Limit Switching in WSe 2 Reconfigurable Field‐Effect Transistors 相关领域
材料科学
晶体管
光电子学
电容感应
放大器
CMOS芯片
噪声裕度
逻辑门
电容耦合
电压
电气工程
充电控制
切换时间
噪音（视频）
电容器
极限（数学）
阈下传导
MOSFET
纳米线
量子隧道
跨导
纳米技术
波形
和大门
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期刊：Advanced Functional Materials 作者：Jiali Yi; Qin Shuai; Guangcheng Wu; Haifeng Wu; Chenguang Zhu; et al 出版日期：2025-11-28 |
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