An NEGF-Based Comprehensive Analysis of Parasitic Effects in Stacked Nanosheet FETs at 1.5-nm Technology Node

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标题	An NEGF-Based Comprehensive Analysis of Parasitic Effects in Stacked Nanosheet FETs at 1.5-nm Technology Node
网址	http://dx.doi.org/10.1109/ted.2024.3438678
DOI	10.1109/ted.2024.3438678 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Shuo Zhang; Zhicheng Guo; Hao Xie; Sichao Du; Wenchao Chen; et al 出版日期：2024-10-01
求助人	昵称未命名在 2026-07-09 01:34:48 发布自江苏，悬赏 10 积分
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