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Metal‐Organic Chemical Vapor Deposition Grown Low‐Temperature Aluminum Nitride Gate Dielectric for Gallium Nitride on Si High Electron Mobility Transistor 相关领域
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期刊:physica status solidi (a) 作者:Anirudh Venugopalarao; Shantveer Kanta; Hareesh Chandrasekar; Aniruddhan Gowrisankar; Muralidharan R. Rengarajan; et al 出版日期:2024-07-21 |
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