Defect analysis of Sn-doped Ga2O3/SiC hetero-structured Schottky diodes using deep level transient spectroscopy

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标题	Defect analysis of Sn-doped Ga2O3/SiC hetero-structured Schottky diodes using deep level transient spectroscopy
网址	https://doi.org/10.1063/5.0287493
DOI	10.1063/5.0287493 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：Tae-Hee Lee; Ji-Soo Choi; Se-Rim Park; Seung-Hwan Chung; Geon-Hee Lee; et al 出版日期：2025
求助人	xiaolu 在 2026-05-09 18:41:10 发布自福建，悬赏 10 积分
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