Metallic Impurity Gettering Behavior of Hydrocarbon-Molecular-Ion-Implanted Epitaxial Silicon Wafer During the Pn-Junction Diode Fabrication Process

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标题	Metallic Impurity Gettering Behavior of Hydrocarbon-Molecular-Ion-Implanted Epitaxial Silicon Wafer During the Pn-Junction Diode Fabrication Process
网址	https://doi.org/10.23919/IWJT66253.2025.11072884
DOI	10.23919/IWJT66253.2025.11072884 doi
其它	期刊：2025 22nd International Workshop on Junction Technology (IWJT) 作者：Sho Nagatomo; Takeshi Kadono; Ryo Hirose; Koji Kobayashi; Shun Sasaki; Kazunari Kurita 出版日期：2025
求助人	Gaoge 在 2026-03-20 13:59:58 发布自北京，悬赏 10 积分
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