Forward current transport mechanism of the vertical β-Ga2O3 diode with a 1.6 nm SiO2 interlayer on Sn-doped (2¯01) substrates

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标题	Forward current transport mechanism of the vertical β-Ga2O3 diode with a 1.6 nm SiO2 interlayer on Sn-doped (2¯01) substrates
网址	https://pubs.aip.org/aip/apl/article-pdf/doi/10.1063/5.03226...
DOI	10.1063/5.0322607 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Xiang-Xin Zhang; Yi-Bo Wang; Xiao Jia; C. Fang; Hao-Dong Hu; et al 出版日期：2026-09-21
求助人	春晓在 2026-09-30 15:04:34 发布自江苏，悬赏 10 积分
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