Transistor Optimization with Novel Cavity for Advanced FinFET Technology

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标题	Transistor Optimization with Novel Cavity for Advanced FinFET Technology
网址	http://dx.doi.org/10.1109/sispad.2018.8551703
DOI	10.1109/sispad.2018.8551703 doi
其它	期刊：2018 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) 作者：Hsien-Ching Lo; Jianwei Peng; Pei Zhao; El Mehdi Bazizi; Yue Hu; et al 出版日期：2018-09-01
求助人	善良高山在 2026-08-09 23:32:19 发布自北京，悬赏 10 积分
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