Self-Aligned Process for Selectively Etched p-GaN-Gated AlGaN/GaN-on-Si HFETs

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标题	Self-Aligned Process for Selectively Etched p-GaN-Gated AlGaN/GaN-on-Si HFETs
网址	http://dx.doi.org/10.1109/ted.2018.2860634
DOI	10.1109/ted.2018.2860634 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Gerrit Lukens; Herwig Hahn; Holger Kalisch; Andrei Vescan 出版日期：2018-09-01
求助人	zzzz 在 2026-09-07 10:43:51 发布自辽宁，悬赏 10 积分
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