| 标题 |
 Performance Enhancement of T-gated GaN HEMTs Using Polarization-Graded AlGaN Back Barrier for High-Frequency Applications 相关领域
跨导
材料科学
光电子学
碳化硅
截止频率
振荡（细胞信号）
性能增强
晶体管
宽禁带半导体
电流（流体）
氮化镓
无线电频率
阻挡层
高电子迁移率晶体管
切断
硅
异质结
绩效改进
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| DOI | |
| 其它 |
期刊：Semiconductors 作者：B. Mohan; J. Charles Pravin; V. Sandeep 出版日期：2025-11-12 |
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(2025-6-4)
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