Performance Limit of Gate-All-Around Si Nanowire Field-Effect Transistors: An Ab Initio Quantum Transport Simulation

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标题	Performance Limit of Gate-All-Around Si Nanowire Field-Effect Transistors: An Ab Initio Quantum Transport Simulation 相关领域材料科学纳米线场效应晶体管晶体管物理光电子学凝聚态物理纳米技术拓扑（电路）电气工程量子力学电压工程类
网址	https://doi.org/10.1103/physrevapplied.18.054089
DOI	10.1103/physrevapplied.18.054089 doi
其它	期刊：Physical Review Applied 作者：Shiqi Liu; Qiuhui Li; Chen Yang; Jie Yang; Lin Xu; et al 出版日期：2022-11-30
求助人	海洋饼干42 在 2025-10-31 17:30:34 发布自北京，悬赏 10 积分
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