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标题
SiC trench IGBT with n-barrier layer to enhance conductivity modulation
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DOI
10.1016/j.mejo.2025.106919 doi
其它 期刊:Microelectronics Journal
作者:Ruixue Mai; Xiaoli Tian; Yu Yang; Wei Wei; Chengzhan Li; et al
出版日期:2025
求助人
滴滴 在 2026-06-18 15:50:29 发布自陕西,悬赏 10 积分
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