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  Evaluation of the power loss in IGBT single transistor device under the condition of pulse duration of 100 ns 100ns脉冲持续时间条件下IGBT单晶体管器件功率损耗的评估
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期刊：AIP Advances 作者：Zenghui Yang; Taizhuang Hu; Diangeng Li; Huibo Zhang; Zicheng Zhang 出版日期：2024-09-01 |
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