Study of the Metal‐Semiconductor‐Metal Schottky Diode Based on β‐Gallium Oxide Microribbons Using a Geometrically Asymmetric Electrode

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标题	Study of the Metal‐Semiconductor‐Metal Schottky Diode Based on β‐Gallium Oxide Microribbons Using a Geometrically Asymmetric Electrode 基于β-氧化镓微带的金属-半导体-金属肖特基二极管的几何非对称电极研究相关领域肖特基二极管材料科学电极金属二极管镓光电子学半导体氧化物氧化镓金属半导体结冶金化学物理化学
网址	https://doi.org/10.1002/pssr.202500177
DOI	10.1002/pssr.202500177 doi
其它	期刊：physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters 作者：Wenqian Wang; Yi Cheng; Tianshuo Liu; Fanghao Zhu; Yi Guan; et al 出版日期：2025-07-06
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