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标题
Description of electron mobilities in epitaxial lanthanum-doped barium stannate films: Influences of LO phonons, threading dislocation, and ionized donor defects
外延镧掺杂锡酸钡薄膜中电子迁移率的描述：LO声子、穿线位错和电离施主缺陷的影响
相关领域
电子迁移率 凝聚态物理 材料科学 兴奋剂 声子 外延 电离杂质散射 散射 光电子学 光学 纳米技术 物理 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1063/5.0163172
DOI
10.1063/5.0163172 doi
其它 期刊：Journal of Applied Physics
作者：Anusit Thongnum
出版日期：2023-08-22
求助人
yuhuan 在 2025-06-01 01:49:03 发布，悬赏 10 积分
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