GeSe monolayer semiconductor with tunable direct band gap and small carrier effective mass

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标题	GeSe monolayer semiconductor with tunable direct band gap and small carrier effective mass 具有可调直接带隙和小载流子有效质量的GeSe单层半导体相关领域单层半导体有效质量（弹簧-质量系统）带隙材料科学应变工程电子能带结构光电子学凝聚态物理直接和间接带隙各向异性纳米技术物理光学硅量子力学
网址	https://doi.org/10.1063/1.4931459
DOI	10.1063/1.4931459 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Yonghong Hu; Shengli Zhang; Shi‐Gang Sun; Meiqiu Xie; Bo Cai; et al 出版日期：2015-09-21
求助人	无辜问枫在 2025-08-30 15:37:50 发布自北京，悬赏 10 积分
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