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![]() 极性GaInN和AlGaN量子阱中的材料增益:如何克服这些QW系统中光发射器的“死区”宽度?
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期刊:IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 作者:M. Gładysiewicz; C. Skierbiszewski; R. Kudrawiec 出版日期:2021-09-22 |
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