High-performance InGaZnO power transistors: Effect of device structural parameters

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标题	High-performance InGaZnO power transistors: Effect of device structural parameters 相关领域材料科学晶体管光电子学功率（物理）宽禁带半导体电气工程电压物理工程类量子力学
网址	https://doi.org/10.1063/5.0215221
DOI	10.1063/5.0215221 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Wenxing Huo; Yonghui Zhang; Chenglong Fang; Ziyue Wu; Zhen Yang; et al 出版日期：2024-10-14
求助人	shishikai 在 2025-10-26 19:34:39 发布自江苏，悬赏 10 积分
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