Contact Engineering for Dual-Gate MoS2 Transistors Using O2 Plasma Exposure

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标题	Contact Engineering for Dual-Gate MoS2 Transistors Using O2 Plasma Exposure
网址	https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acsaelm.8b00059
DOI	10.1021/acsaelm.8b00059 doi
其它	期刊：ACS Applied Electronic Materials 作者：Pavel Bolshakov; Christopher M. Smyth; Ava Khosravi; Peng Zhao; Paul K. Hurley; et al 出版日期：2019-01-17
求助人	XY 在 2026-03-08 20:58:23 发布自江苏，悬赏 10 积分
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