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 Subthreshold and turn-on characteristics in Schottky-type p-GaN Gate HEMTs: impact of partially and fully depleted p-GaN layer 肖特基型p-GaN栅极HEMT的亚阈值和导通特性：部分和完全耗尽p-GaN层的影响
相关领域
阈下传导
光电子学
材料科学
肖特基二极管
图层（电子）
肖特基势垒
晶体管
电气工程
纳米技术
电压
工程类
二极管
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| 其它 |
期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Xuan Liu; Chao Feng; Danfeng Mao; Y.F. Wang; Rongxin Du; et al 出版日期：2025-01-07 |
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